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hbm3e 12hi 文章 進(jìn)入hbm3e 12hi技術(shù)社區
HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰，2025年HBM是否過(guò)剩仍待觀(guān)察
- 近期市場(chǎng)對于2025年HBM可能供過(guò)于求的擔憂(yōu)加劇，而據TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠(chǎng)商能否如期大量轉進(jìn)HBM3e仍是未知數，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習曲線(xiàn)長(cháng)，目前尚難判定是否會(huì )出現產(chǎn)能過(guò)剩局面。根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續驗證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快，有望于今年底完成
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三星8層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達所有測試，預計今年底開(kāi)始交付
- 三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過(guò)一直沒(méi)有通過(guò)英偉達的測試。此前有報道稱(chēng)，已從多家供應鏈廠(chǎng)商了解到，三星的HBM3E很快會(huì )獲得認證，將在2024年第三季度開(kāi)始發(fā)貨。據The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過(guò)了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒(méi)有最終確定供應協(xié)議，但是問(wèn)題不大，預計今年底開(kāi)始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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公司 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達測試？三星回應稱(chēng)并不屬實(shí)
- IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時(shí)候路透社報道稱(chēng)，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達測試?，F據韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子回應稱(chēng)該報道并不屬實(shí)。對于這一傳聞，三星明確回應稱(chēng)：“我們無(wú)法證實(shí)與客戶(hù)相關(guān)的報道，但該報道不屬實(shí)?！贝送?，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測試仍在進(jìn)行中，與上月財報電話(huà)會(huì )議時(shí)的情況相比沒(méi)有任何變化。此前路透社的報道稱(chēng)，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過(guò)英偉達的測試，并將于第四季度開(kāi)始供貨。IT之家注意到
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英偉達黃仁勛反駁三星HBM3e有問(wèn)題
- 近日，英偉達(NVIDIA)執行長(cháng)黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過(guò)熱問(wèn)題而未能通過(guò)測試的報道進(jìn)行了反駁。他表示，英偉達正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過(guò)測試，因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問(wèn)題，黃仁勛表示，認證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過(guò)熱問(wèn)題未通過(guò)質(zhì)量測試。他重申，英偉達與三星的合作進(jìn)展順利。此前，三星也堅決否認有關(guān)其高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未能達到英偉達質(zhì)量標準的報道。三星電子在一份聲明中表示，
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這一次，三星被臺積電卡脖子了
- 在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺積電是純粹的競爭關(guān)系，但在存儲芯片市場(chǎng)，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達惹的禍。據 DigiTimes 報道，三星 HBM3E 內存尚未通過(guò)英偉達的測試，仍需要進(jìn)一步驗證，這是因為卡在了臺積電的審批環(huán)節。作為英偉達 AI GPU 芯片的制造和封裝廠(chǎng)，臺積電是英偉達驗證環(huán)節的重要參與者。據悉，臺積電采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 產(chǎn)品設定的檢測標準，而三星的 HBM3E 產(chǎn)品在制造工藝上有些差異，例如，SK 海力士芯片封裝環(huán)節采用了 MR-MUF
- 關(guān)鍵字： HBM3E HBM4
英偉達H200帶寬狂飆！HBM3e/HBM3時(shí)代即將來(lái)臨
- 當地時(shí)間11月13日，英偉達（NVIDIA）宣布推出NVIDIA HGX? H200，旨為世界領(lǐng)先的AI計算平臺提供強大動(dòng)力，將于2024年第二季度開(kāi)始在全球系統制造商和云服務(wù)提供商處提供。H200輸出速度約H100的兩倍據介紹，NVIDIA H200是基于NVIDIA Hopper?架構，配備具有高級內存的NVIDIA H200 Tensor Core GPU，可處理海量數據，用于生成式AI和高性能計算工作負載。圖片來(lái)源：英偉達與H100相比，NVIDIA H200對Llama2模型的推理速度幾乎翻倍。
- 關(guān)鍵字： 英偉達 H200 HBM3e HBM3
英偉達下一代GPU：Blackwell B100將采用HBM3E顯存，計劃于明年第二季度左右發(fā)布
- 今年8月，SK海力士宣布開(kāi)發(fā)出了全球最高規格的HBM3E內存，并將從明年上半年開(kāi)始投入量產(chǎn)，目前已經(jīng)開(kāi)始向客戶(hù)提供樣品進(jìn)行性能驗證。據MT.co.kr報道，繼第4代產(chǎn)品HBM3之后，SK海力士將向英偉達獨家供應第五代高帶寬內存HBM3E，此舉有望進(jìn)一步鞏固其作為AI半導體公司的地位。據半導體業(yè)界15日消息，SK海力士將于明年初向英偉達提供滿(mǎn)足量產(chǎn)質(zhì)量要求的HBM3E內存，并開(kāi)展最終的資格測試。一位半導體行業(yè)高管表示，“沒(méi)有HBM3E，英偉達就無(wú)法銷(xiāo)售B100”，“一旦質(zhì)量達到要求，合同就只是時(shí)間問(wèn)題?！睋?/li>
- 關(guān)鍵字： 英偉達 GPU Blackwell B100 HBM3E 顯存
三星正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標2025年供貨
- 三星電子日前表示，計劃開(kāi)始提供HBM3E樣品，正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據韓媒，三星電子副總裁兼內存業(yè)務(wù)部DRAM開(kāi)發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開(kāi)始提供HBM3E樣品，正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標2025年供貨。他透露，三星電子還準備針對高溫熱特性?xún)?yōu)化的NCF（非導電粘合膜）組裝技術(shù)和HCB（混合鍵合）技術(shù)，以應用于該產(chǎn)品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù)，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業(yè)務(wù)團隊，以加強尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門(mén)之間的協(xié)同作用。
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM3E HBM4
海力士競逐 HBM 市場(chǎng)份額，正計劃將擴建其產(chǎn)能并使產(chǎn)能翻倍
- 6 月 18 日消息，據 businesskorea 以及 etnews 報道，SK 海力士將擴展其 HBM3 后道工藝生產(chǎn)線(xiàn)，并已收到英偉達要求其送測 HBM3E 樣品的請求據稱(chēng)，考慮到對人工智能 (AI) 半導體的需求增加，S 海力士正在考慮將 HBM 的產(chǎn)能翻倍的計劃。業(yè)內消息稱(chēng) SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 對 HBM3E 樣品的請求，并正在準備發(fā)貨。HBM3E 是當前可用的最高規格 DRAM HBM3 的下一代，被譽(yù)為是第五代半導體產(chǎn)品。SK 海力士目前正致力于開(kāi)發(fā)該產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： businesskorea SK 海力士 HBM3 英偉達 HBM3E
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